測不對SiC MOSFET驅(qū)動波形六 大 原 因 

    開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。

    SiC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。SiC MOSFET與Si開關(guān)器件的一個重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同，Si開關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達到±30V，而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V，負壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V。同時，SiC MOSFET開關(guān)速度快，開關(guān)過程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩，如果震蕩超過其柵極耐壓能力，則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。

    很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久，往往會在驅(qū)動電壓測量上遇到問題，即測得的驅(qū)動電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導(dǎo)致搞不清楚是器件的問題還是電路設(shè)計的問題，進而耽誤開發(fā)進度。

接下來我們將向您介紹六種由于測試問題而導(dǎo)致的驅(qū)動電壓離譜的原因。

原因1：高壓差分探頭衰減倍數(shù)過大

高壓差分探頭的為差分輸入且輸入阻抗高，在電源開發(fā)過程中一般都會選擇它來測量驅(qū)動波形。

    有時在使用高壓差分探頭時獲得的驅(qū)動波形顯得非常粗，這往往是由于高壓差分探頭的衰減倍數(shù)過大導(dǎo)致的。衰減倍數(shù)大，高壓差分探頭的量程就大，使得分辨率大幅下降，同時示波器在還原信號時還會將噪聲放大。此時就需要選擇衰減倍數(shù)較小的高壓差分探頭或選擇高壓差分探頭衰減比較小的檔位。我們使用下圖中的高壓差分探頭測量驅(qū)動電壓，衰減倍數(shù)分別選擇50倍和500倍，在下圖中可以明顯到500倍衰減倍數(shù)下驅(qū)動波形非常粗。

50倍與500倍衰減波形對比

示意圖為泰克高壓差分探頭

原因2：高壓差分探頭測量線未雙絞

    高壓差分探頭一般用于測量高壓信號，為了使用安全及方便接線，其前端是兩根接近20cm的測量線。在進行測量時，可以將兩根測量線看作為一個天線，會接收外界的磁場信號。而SiC MOSFET的開關(guān)速度快，開關(guān)過程電流變化速率大，其產(chǎn)生的磁場穿過由高壓差分探頭測量線形成的天線時就會影響測量結(jié)果。

    為了降低這一影響，可以將高壓差分探頭的兩根測量線進行雙絞，盡量減小它們圍成的面積。從下圖中可以看到，在將測量線未雙絞進行雙絞后，驅(qū)動電壓波形的震蕩幅度明顯降低了。

是否雙絞的波形對比

原因3：無源探頭未進行阻抗匹配

阻抗匹配與未阻抗匹配波形對比

    無源探頭衰減倍數(shù)小、帶寬高，往往可以在雙脈沖測試時用來獲得更為精準的驅(qū)動電壓波形。無源探頭的等效電路如下所示，只有當其與示波器達到阻抗匹配時才能獲得正確的波形。一般情況下，我們可以通過旋轉(zhuǎn)無源探頭尾部的旋鈕調(diào)節(jié)電容來進行阻抗匹配調(diào)節(jié)，此外還有部分探頭能夠在示波器上完成自動補償。 

    當驅(qū)動電壓為-4V/+15V時，通過上圖可以看到，是否正確補償對測量結(jié)果有非常大的影響。當探頭未進行阻抗匹配時，驅(qū)動波形振蕩幅度明顯變大，測量量值也更大，這將會導(dǎo)致對驅(qū)動電壓的誤判。當探頭正確阻抗匹配時，驅(qū)動電壓振幅更小，測量值與實際外加電壓一致。

參考圖為泰克無源探頭 ?

? 無源探頭等效示意圖

原因4：無源探頭未使用小環(huán)路測量

    無源探頭標配的接地線有接近10cm長，采用這樣的接地線時，會出現(xiàn)同高壓差分探頭一樣，即測量線圍出一個很大的面積，成為一個天線，測量結(jié)果會受到SiC MOSFET開關(guān)過程中高速變化的電流的影響。同時，過長的接地線可以看做一個電感，也會導(dǎo)致震蕩的產(chǎn)生。

    為了降低這一影響，可以使用廠商標配的彈簧接地針，其長度短、圍出的面積更小。從上圖中可以看到，使用標配接地線時，驅(qū)動波形震蕩嚴重，其峰值大達到xxV，超過了SiC MOSFET柵極耐壓能力；當使用彈簧接地針后，波形震蕩大大減輕了，幅值均在SiC MOSFET柵極耐壓能力范圍內(nèi)。

長接地線與短彈簧地線波形對比

示波器自帶長接地線、短彈簧地線

原因5：探頭高頻共模抑制比不夠

     對于橋式電路中的上管SiC MOSFET，其S極為橋臂中點，其電壓在電路工作時是跳變的。其跳變的幅度為電路的母線電壓，對于1200V SiC MOSFET而言，母線電壓為800V；其跳變的速度為SiC MOSFET的開關(guān)速度，可達到100V/ns。此時要測量上管的驅(qū)動電壓，就需要面對這樣高幅值、高速度跳變的共模電壓。

    從上圖中可以看到，當采用常見的高壓差分探頭時，驅(qū)動波形振蕩更大，在一個脈沖內(nèi)Ton時間測量值偏低，在Toff時間內(nèi)存在偏置，在第二個脈沖上升沿存在嚴重的震蕩。這主要是由于高壓差分探頭在高頻下的共模抑制比不夠?qū)е碌模藭r我們就需要使用具有更高共模抑制比的光隔離探頭來測量上管驅(qū)動電壓波形。從下圖中可以看到，當采用光隔離探頭后，波形震蕩明顯減小，第二脈沖上升沿的嚴重震蕩消失，在關(guān)斷時間內(nèi)電壓測量值與實際外加電壓接近。

光隔離探頭與高壓差分探頭波形對比

示意圖為泰克光隔離探頭ISOVu

原因6：測量點離器件引腳根部過遠

4pin的圖片和等效示意圖

    當我們測量驅(qū)動電壓波形時，探頭并不能直接接觸到SiC MOSFET芯片，而只是能接到器件的引腳上。可以將器件的引腳看作為電感，那么我們實際測得的驅(qū)動電壓為真實的柵-源極電壓和測量點之間引腳電感上壓降之和。那么，測量點之間引腳長度越長，測量結(jié)果與SiC MOSFET芯片上真實的柵-源極電壓差異越大。

    為了降低這一影響，需要將探頭接到器件引腳的根部，大限度得縮短測量點之間引腳的長度。從下圖中可以看到，當測量點位于引腳根部時，開通驅(qū)動波形振蕩幅值及振蕩頻率明顯減少，關(guān)斷驅(qū)動波形振蕩幅值也明顯減少。

探頭接引腳根部與遠離根部

引腳根部與遠離根部波形對比

總結(jié)

     要想使用好SiC MOSFET，充分發(fā)揮其優(yōu)異的特性，使用合適的設(shè)備和測量方法獲得正確的波形非常重要。相信讀完本文的你，不會再被錯誤的波形坑了。